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薄膜铂热电阻(RTD)元件:1000 Ω,经静电放电(ESD)优化设计,芯片尺寸:2.3 x 2.0 x 1.1毫米 精度等级:符合 IEC 60751 标准 ...
891薄膜铂热电阻(RTD)元件:1000 Ω,经静电放电(ESD)优化设计,芯片尺寸:2.3 x 2.0 x 1.1毫米 精度等级:符合 IEC 60751 标准 ...
891薄膜铂热电阻(RTD)元件:1000 Ω,经静电放电(ESD)优化设计,芯片尺寸:2.3 x 2.0 x 1.1毫米 精度等级:符合 IEC 60751 标准 ...
891薄膜铂热电阻(RTD)元件:1000 Ω,经静电放电(ESD)优化设计,芯片尺寸:5.0 x 2.0 x 1.3 毫米 精度等级:符合 IEC 60751 标准...
551薄膜铂热电阻(RTD)元件:1000 Ω,经静电放电(ESD)优化设计,芯片尺寸:5.0 x 2.0 x 1.3 毫米 精度等级:符合 IEC 60751 标准...
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