搜索"boragoya e ninguém boragoyou"的结果
低温应用专用温度传感器:经静电放电(ESD)优化设计,精度等级 A 级,测量范围 - 200C 至 + 600C,尺寸 2.41.4 毫米,配备 10 毫米长导...
663低温应用专用温度传感器:经静电放电(ESD)优化设计,精度等级 B 级,测量范围 - 200C 至 + 600C,尺寸 2.41.4 毫米,配备 10 毫米长导...
663RealProbe Pt100 温度传感器外壳规格:圆形不锈钢外壳,尺寸 φ6 毫米 25 毫米,温度范围:-50C 至 + 200C 连接方式:4 股铜银合金...
579薄膜铂热电阻(RTD)元件:100 Ω,经静电放电(ESD)优化设计,带铂/镍线,芯片尺寸:2.3 x 2.0 x 1.1 毫米 精度等级:符合 IEC 607...
839薄膜铂热电阻(RTD)元件:100 Ω,经静电放电(ESD)优化设计,带铂/镍线,芯片尺寸:5.0 x 2.0 x 1.3 毫米 连接类型:铂/镍线 直径0.2...
551薄膜铂热电阻(RTD)元件:100 Ω,经静电放电(ESD)优化设计,带铂/镍线,芯片尺寸:5.0 x 2.0 x 1.3 毫米 精度等级:符合 IEC 607...
551薄膜铂热电阻(RTD)元件:1000 Ω,经静电放电(ESD)优化设计,芯片尺寸:2.3 x 2.0 x 1.1毫米 精度等级:符合 IEC 60751 标准 ...
891薄膜铂热电阻(RTD)元件:1000 Ω,经静电放电(ESD)优化设计,芯片尺寸:2.3 x 2.0 x 1.1毫米 精度等级:符合 IEC 60751 标准 ...
891薄膜铂热电阻(RTD)元件:1000 Ω,经静电放电(ESD)优化设计,芯片尺寸:2.3 x 2.0 x 1.1毫米 精度等级:符合 IEC 60751 标准 ...
891薄膜铂热电阻(RTD)元件:1000 Ω,经静电放电(ESD)优化设计,芯片尺寸:5.0 x 2.0 x 1.3 毫米 精度等级:符合 IEC 60751 标准...
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