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铂电阻 RTD，1000Ω，工作温度范围为-200C至+600C，配有10毫米长的镍铂引线芯片尺寸/规格：2.51.61.1毫米公差/等级：符合IEC 6075...
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适用于狭窄空间的经静电放电优化的温度传感器，工作温度范围为-200C至+600C，尺寸为3.00.8毫米，引线长7毫米芯片尺寸/规格：3.00.80.6毫米公差...
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工作温度范围为-200C至+600C，尺寸为2.32.0毫米，引线长10毫米芯片尺寸/规格：2.32.01.3毫米公差/等级：符合IEC 60751标准的F0....
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薄膜铂材质， 带有反向触点的1000欧姆电阻温度检测器（RTD）组件芯片尺寸/规格：2.32.01.1毫米公差/等级：符合IEC 60751标准的F0.3等级（...
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可键合的1000ΩRTD组件，温度范围 -50C至150C，芯片托盘（传感器面朝上）芯片尺寸/规格：0.750.750.3毫米公差/等级：IEC 60751 F...
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可键合的1000ΩRTD组件，温度范围 -50C至150C，卷带包装（传感器面朝上）芯片尺寸/规格：0.750.750.3毫米公差/等级：IEC 60751 F...
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倒装芯片（FlipChip）100ΩRTD组件，温度范围 -50C至+250C，FC 0603规格，仅带卷带（无卷轴），传感器面朝下芯片尺寸/规格：1.50.7...
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倒装芯片（FlipChip）100ΩRTD组件，温度范围 -50C至+250C，FC 0805规格，仅带卷带（无卷轴），传感器面朝下公差/等级：IEC 6075...
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倒装芯片（FlipChip）1000ΩRTD组件，温度范围 -50C至+250C，FC 0603规格，仅带卷带（无卷轴），传感器面朝下芯片尺寸/规格：1.50....
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倒装芯片（FlipChip）1000ΩRTD组件，温度范围 -50C至+250C，FC 0603规格，仅带卷带（无卷轴），传感器面朝下芯片尺寸/规格：1.50....
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