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产品型号：P0K1.0805.3FC.A标称电阻：0C 时为 100 Ω工作温度范围：-50C 至 +250C温度系数：3850 ppm/K芯片尺寸/规格：2.
644
产品型号：P0K1.0603.3FC.B标称电阻：0C 时为 100 Ω工作温度范围：-50C 至 +250C温度系数：3850 ppm/K芯片尺寸/规格：1.
546
产品型号：P0K1.0805.3FC.B标称电阻：0C 时为 100 Ω工作温度范围：-50C 至 +250C温度系数：3850 ppm/K芯片尺寸/规格：2.
605
薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，经静电放电（ESD）优化设计，配备 10 毫米长镍金线 芯片尺寸：1.82.01.1 毫米 精度等级：符合 IEC ...
500
薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，经静电放电（ESD）优化设计，配备 10 毫米长镍金线 芯片尺寸：1.82.01.1 毫米 精度等级：符合 IEC ...
500
薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，测量范围 - 200C 至 + 300C，配备 10 毫米长镍金线 芯片尺寸：2.5 x 1.6 x 1.3 毫米 ...
549
温度范围 - 50C 至 + 200C，配备 300 毫米绝缘绞合线 芯片尺寸：2.5 x 1.6 x 1.1 毫米 精度等级：符合 IEC 60751 标准...
690
薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，经静电放电（ESD）优化设计，测量范围 - 200C 至 + 600C，配备 7 毫米长铂镍线 芯片尺寸：1.8 x ...
891
薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，经静电放电（ESD）优化设计，测量范围 - 200C 至 + 600C，配备 10 毫米长铂镍线 芯片尺寸：1.8 x...
891
薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，配备 7 毫米长铂镍线 芯片尺寸：2.2 x 2.0 x 1.1毫米 精度等级：符合 IEC 60751 标准 F0....
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