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薄膜铂热电阻(RTD)元件:1000 Ω,经静电放电(ESD)优化设计,配备 10 毫米长镍金线 芯片尺寸:1.82.01.1 毫米 精度等级:符合 IEC ...
500薄膜铂热电阻(RTD)元件:1000 Ω,测量范围 - 200C 至 + 300C,配备 10 毫米长镍金线 芯片尺寸:2.5 x 1.6 x 1.3 毫米 ...
549温度范围 - 50C 至 + 200C,配备 300 毫米绝缘绞合线 芯片尺寸:2.5 x 1.6 x 1.1 毫米 精度等级:符合 IEC 60751 标准...
690薄膜铂热电阻(RTD)元件:1000 Ω,经静电放电(ESD)优化设计,测量范围 - 200C 至 + 600C,配备 7 毫米长铂镍线 芯片尺寸:1.8 x ...
891薄膜铂热电阻(RTD)元件:1000 Ω,经静电放电(ESD)优化设计,测量范围 - 200C 至 + 600C,配备 10 毫米长铂镍线 芯片尺寸:1.8 x...
891薄膜铂热电阻(RTD)元件:1000 Ω,配备 7 毫米长铂镍线 芯片尺寸:2.2 x 2.0 x 1.1毫米 精度等级:符合 IEC 60751 标准 F0....
891薄膜铂热电阻(RTD)元件:1000 Ω,测量范围 - 200C 至 + 600C,配备 10 毫米长铂镍线 芯片尺寸:2.5 x 1.6 x 1.1 毫米 精...
891温度范围:200 C 至 +400 C, 5.0 x 1.6 mm, 配备10毫米银线,芯片尺寸:5.0 x 1.6 x 1.3 毫米 精度等级:符合 IEC ...
891薄膜铂热电阻(RTD)元件:1000 Ω,经静电放电(ESD)优化设计,配备 7 毫米长扁平镀金镍引线,芯片尺寸:2.0 x 2.0 x 1.3毫米 精度等级:...
907窄空间用温度传感器:经静电放电(ESD)优化,测量范围为 - 200C 至 + 600C,配备 7 毫米长引线。芯片尺寸:3.0 x 0.8 x 0.6 毫米 ...
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