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温度范围 - 50C 至 + 200C，配备 300 毫米绝缘绞合线 芯片尺寸：2.5 x 1.6 x 1.1 毫米 精度等级：符合 IEC 60751 标准...
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薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，测量范围 - 200C 至 + 600C，配备 10 毫米长铂镍线 芯片尺寸：1.8 x 2.0 x 1.1 毫米 精...
891
薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，经静电放电（ESD）优化设计，测量范围 - 200C 至 + 600C，配备 7 毫米长铂镍线 芯片尺寸：1.8 x ...
891
薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，测量范围 - 200C 至 + 850C，配备 7 毫米长铂线 芯片尺寸： 3.85 x 1.9 x 1.0 毫米 精...
512
温度范围 - 200C 至 + 600C，配备 10 毫米引线 芯片尺寸：2.3 x 2.0 x 1.3 毫米 精度等级：符合 IEC 60751 标准 F0...
882
薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，经静电放电（ESD）优化设计，带反转弯线，芯片尺寸：2.3 x 2.0 x 1.1 毫米 精度等级：符合 IEC 60...
636
温度范围 - 200C 至 + 400C，配备 150 毫米引线 芯片尺寸：5.0 x 2.0 x 1.3 毫米 精度等级：符合 IEC 60751 标准 ...
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温度范围 - 50C 至 + 200C，配备可键合金焊盘，金属化背面，其导热性能经过优化提升，因此成为多个领域的理想选择，广泛适用于半导体及微电子行业、医疗设备...
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薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，经静电放电（ESD）优化设计，配备 7 毫米长扁平镀金镍引线，芯片尺寸：2.0 x 2.0 x 1.3毫米 精度等级：...
907
薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，经静电放电（ESD）优化设计，配备 7 毫米长扁平镀金镍引线，芯片尺寸：2.0 x 2.0 x 1.3 毫米 精度等级...
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