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薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，测量范围 - 200C 至 + 600C，配备 10 毫米长铂镍线 芯片尺寸：1.8 x 2.0 x 1.1 毫米 精...
891
薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，经静电放电（ESD）优化设计，测量范围 - 200C 至 + 600C，配备 7 毫米长铂镍线 芯片尺寸：1.8 x ...
891
薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，测量范围 - 200C 至 + 850C，配备 7 毫米长铂线 芯片尺寸： 3.85 x 1.9 x 1.0 毫米 精...
512
薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，经静电放电（ESD）优化设计，配备 7 毫米长扁平镀金镍引线，芯片尺寸：2.0 x 2.0 x 1.3毫米 精度等级：...
907
薄膜铂热电阻（RTD）元件：1000 Ω，经静电放电（ESD）优化设计，配备 7 毫米长扁平镀金镍引线，芯片尺寸：2.0 x 2.0 x 1.3毫米 精度等级：...
907
薄膜铂热电阻（RTD）元件：200 Ω，测量范围 - 200C 至 + 850C，配备 7 毫米长铂线 芯片尺寸： 3.85 x 1.9 x 1.0 毫米 精度...
742
低温应用专用温度传感器：经静电放电（ESD）优化设计，精度等级 Y 级，测量范围 - 200C 至 + 600C，尺寸 2.41.4 毫米，配备 7 毫米长导线...
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低温应用专用温度传感器：经静电放电（ESD）优化设计，精度等级 A 级，测量范围 - 200C 至 + 600C，尺寸 2.41.4 毫米，配备 7 毫米长导线...
663
低温应用专用温度传感器：经静电放电（ESD）优化设计，精度等级 B 级，测量范围 - 200C 至 + 600C，尺寸 2.41.4 毫米，配备 7 毫米长导线...
663
低温应用专用温度传感器：经静电放电（ESD）优化设计，精度等级 Y 级，测量范围 - 200C 至 + 600C，尺寸 2.41.4 毫米，配备 10 毫米长导...
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