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温度范围-200C至+200C，5.02.0毫米，165毫米带收缩管的绝缘线芯片尺寸/规格：5.02.01.3毫米公差/等级：IEC 60751 F0.3（IS...
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引线：7毫米, 采用优化的静电放电（ESD）设计薄膜铂材质，工作温度范围为-200C至+600C芯片尺寸/规格：2.02.01.3毫米
991
薄膜铂100Ω RTD 组件芯片尺寸/规格：2.02.01.3毫米公差/等级：IEC 60751 F0.1（IST精度等级Y）产品代码: 101607
711
P0K1.202.3FW.A.007薄膜铂，静电放电优化，100Ω RTD组件芯片尺寸/规格：2.02.01.3毫米公差/等级：IEC 60751 F0.15（...
779
P0K1.202.3W.A.010薄膜铂，静电放电优化，100Ω RTD 组件芯片尺寸/规格：2.02.01.3毫米连接类型：镍/金线，直径0.2毫米（仅适用于...
572
Pt100，温度范围-200C至+300C，2.32.0毫米，F0.3等级，10毫米反向线，金属化背面芯片尺寸/规格：2.32.01.3毫米公差/等级：IEC ...
667
P1K0.202.3W.A.010薄膜铂，静电放电优化，带10毫米镍/金线的1000Ω电阻温度检测器（RTD）组件芯片尺寸/规格：1.82.01.1毫米公差/等...
500
铂温度传感器1000Ω，温度范围-200C至+300C，10毫米长的镍/金线芯片尺寸/规格：2.51.61.3毫米公差/等级：IEC 60751 F0.1（IS...
549
P1K0.202.3FW.A.007薄膜铂，静电放电优化，带7毫米镀金镍扁平线的1000Ω电阻温度检测器（RTD）组件芯片尺寸/规格：2.02.01.3毫米公差...
907
Pt100Ω，温度范围-200C至+400C，7毫米长的银线芯片尺寸/规格：2.02.01.3毫米公差/等级：IEC 60751 F0.15（IST AG参考等...
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